600w 1200w 純正弦波ハイブリッド インバーター

HSI シリーズ 600w 1200w 純粋な正弦波ハイブリッド インバーター

フォトセルのしくみ

N 型のシリコン ウェーハの表面に、P 型の不純物を拡散によってドープして、シリコン太陽電池である PN 接合を形成します。 PN に照射されると、たとえば、光子エネルギー hv がシリコンの禁制帯幅 E よりも大きい場合、価電子帯の電子が伝導帯に遷移し、電子-正孔対が生成されます。 PN接合障壁層の電界方向はP領域を向いているため、どの障壁層の電界の作用下でも、光励起された電子はN領域の外側に移動し、光励起された正孔は移動します。 P領域の外側に。 PN 接合の 2 つの表面は、電位差を形成するために平行であり、P 領域は太陽電池の正極である正に帯電し、N 領域は太陽電池の負極である負に帯電します。 PN接合の光強度が増加すると、より多くの正孔がP領域に流れ、より多くの電子がN領域に流れ、シリコン太陽電池の両側の電位差が増加します。 前述のように、光の作用により、ある方向と大きさの起電力が発生する現象を光起電力効果といいます。

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